《半导体学报》参考文献格式要求

参考文献按在正文中出现的顺序编号，用方括号括住置引文处右上角，并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料，中文参考文献需翻译成相应的英译。参考文献应能反映近几年本领域的发展状况，近5年来的参考文献不宜少于10条，总数不宜少于15条。参考文献著录项目应齐全。

期刊的格式为：作者(列前三名). 题目. 刊名, 年份, 卷(期)：页码

例：Zhang Heqiu, Mao Lingfeng, Xu Mingzhen, et al. Effect of neutral traps on tunneling current and SILC in ultrathin oxide layer. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(4): 367

书籍的格式为：作者(列前三名). 书名. 出版地：出版社, 年份

例：Schroder D K. Semiconductor material and device characterization. New York: John Wiley & Sons, 1990