《材料导报》参考文献格式要求

《材料导报》参考文献格式要求

参考文献格式体例

规范参考文献格式体例，是每位作者应尽的责任。请作者在收到评审意见后的首次修改时，将参考文献格式严格按此页所提的要求调整规范。对于修改后格式仍然混乱，卷/期混淆，大小写不规范，缺少著录信息等的论文，我刊将加收编辑加工费用。

1. 参考文献条目中的每一条文献均要在正文中有标引。

2. 文末的参考文献条目中不可出现两条相同的文献。

3. 同一条文献可在正文中多次标引(用同一个序号)，但各条文献在正文中首次标引必须按由小到大顺序出现。

4. 中文学位论文、中文期刊中析出的文献，需要用中、英文双语著录，英文在前(并在最后加“(in Chinese)”)，中文(另起一段)在后。请在万方数据库上查阅文章题目、刊名等所对应的英文，万方数据库查不到的文献可从知网、期刊官网等其他渠道下载全文查看其英文题目和刊名等信息，切记不要自己翻译或使用翻译软件翻译。

5. 文献题名除第一个单词的首字母用大写外，其后的所有单词首字母均用小写(少数必须大写的除外，例如Raman的R)。

6. 参考文献中期刊文献的年、卷号(部分中文期刊无法查到卷号的可不著录)、期号(英文期刊一卷中连续编页码的可不注明期号)、页码要齐全，卷(vol)与期(no.或issue)不得混淆。年、卷、期、页码的编排格式请参考下面的例2(注：分不清卷和期，或不清楚年、卷、期、页码该如何著录的作者，请仔细阅读本页内容，或咨询有投稿经验人士)。

7. 作者姓名的撰写格式：a.参考文献中作者外文姓名的每个词只首字母大写，名可以简写，但姓不能简写。b.四个或四个以上作者名，用“等”(“et al”)代替，例如“Zong X, Yan H, Wu G, et al”，“周文斌, 姚正军, 魏东博, 等”。c.文末参考文献中，作者外文姓名中名的简写放在姓的后面且不加“.”，如“Jens Eisert”可缩写为“Eisert J”(也可不缩写)，但不要写为“J. Eisert”、“Eisert J.”、“Eisert Jens”。在著录时若无法准确区分姓和名，则不宜用缩写，以避免错误。d.正文中，外文人名请采用“J. Eisert”、“Jens Eisert”或“Eisert”的形式，不应写成“Eisert J”、“Eisert J.”、“J Eisert”、“Jens”。e.名的简写之间要留空，如“Novoselov KS”应写成“Novoselov K S”。

8. 学位论文，大学/研究所名称前要加上所在地，例如“重庆：重庆大学”、“合肥：中国科学技术大学”(不得写成“安徽：中国科学技术大学”)。

9. 页码只保留起始页码，即“中国有色金属学报, 2013, 23(10): 2882-2889”改为“中国有色金属学报, 2013, 23(10): 2882”。

10. 用外文著录的期刊名称，在投稿时不要缩写。期刊名的每个实词的首字母使用大写，如：Journal of the American Society of Chemistry。

参考文献举例

1. 学位论文：

[序号]作者.题名[D].出版地或保存地：出版者或保存者，出版年

(其中英文题名除第一个字母和必须大写的字母如元素符号首字母、英文缩写、人名首字母等以外，其他字母都用小写;出版机构的每个实词首字母均要大写)

[1]　Pan Shusheng. Growth and physical properties of nitrogen-doped SnO2 thin films[D]. Hefei: Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, 2007(in Chinese)

潘书生.氮掺杂SnO2薄膜生长与物性研究[D].合肥：中国科学院合肥物质科学研究院，2007

2. 期刊中的文献：

[序号]作者.题名[J].刊名：年，卷(期)：页码

(其中英文题名除第一个字母和必须大写的字母如元素符号首字母、英文缩写、人名首字母等以外，其他字母都用小写;英文刊名的每个实词首字母均要大写;年、卷、期、页码均要著录)

[2]　Gao Z H, Liu J B, Wang H. Effect of concentration of critic acid on the formation mechanism of In2S3 thin film by chemical bath deposition[J]. Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2011, 27(9): 1685(in Chinese)

高志华, 刘晶冰, 汪浩. 柠檬酸浓度对化学浴沉积硫化铟薄膜形成机理的影响研究[J]. 无机化学学报, 2011, 27(9): 1685

[3] Inoue K, Taishi T, Tokumoto Y, et al. Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements[J]. Journal of Crystal Growth, 2014, 393: 45

3. 专著：

[序号]著者.题名[M].其他责任者.版本.出版地：出版者，出版年：引文页码

[4]　刘国钧，王连成.图书馆史研究[M].北京：高等教育出版社，1979：15

4. 专著中析出的文献：

[序号]著者.题名[M] //源文献责任者.书名.版本.出版地：出版者，出版年：析出文献页码

[5]　黄蕴慧.国际矿物学研究的动向[M]//程裕淇.世界地质科技发展动向.北京：地质出版社，1982：38

5. 会议论文集中析出的文献：(注：文献题名、论文集名、出版地或会议举办地、出版年不可省略)

[序号]作者.题名[C]//论文集名.出版地：出版者，出版年：引文页码

或： [序号]作者.题名[C]//论文集名.会议举办地，出版年：引文页码

(其中英文论文集名的每个实词的首字母大写)

[6]　张佐光，张晓宏，仲伟虹，等.多相混杂纤维复合材料拉伸行为分析[C]// 第九届全国复合材料学术会议论文集(下册).北京：世界图书出版公司，1996：410

[7]　Dominé D, Bailat J, Steinhauser J, et al. Micromorph solar cell optimization using a ZnO layer as intermediate reflector[C]//Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion.Hawaii, 2006: 1465

6. 专利文献：

[序号]专利申请者或所有者.专利名：专利国别，专利号[P].公告日期或公开日期

[8]　Sato Y. Porous polytetrafluoroethylene resin material: US, 5087641[P]. 1992-02-11